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供电左图和右图分别是Cs3Sb2I9和n=3时假设的Cs3+nM(II)nSb2X9+3n的晶体结构。局引进资（e）Cs2AgSbCl6的拟用带图。

入无（c）三维Cs2AgBiBr6双钙钛矿的室温单晶X射线结构。线射（c）PBE计算的能带结构表明Cs2AgInCl6的弱转变参数。通常情况下，频识化合物的制备通常还需要高温，这种高加工温度要求限制了这类化合物的各种应用。

TGA（黑线），别技DSC（绿线）。产管（b）温度随单位体积（V）和立方轴长度的相关变化。

5.3、理数卤化双钙钛矿的器件稳定性6、理数卤化双钙钛矿的应用与基于Pb的钙钛矿相比，卤化物双钙钛矿的应用较少，因为该类化合物尚处于发展阶段，需要大量的光物理和结构研究来充分了解其性质。

字化（f）(BA)2AgBiBr7的无畸变的模型结构。深圳术推（c）k1处对称化EDCs和超导能隙拟合图。

图3超导间隙变化图（a）电子口袋和各向异性超导能隙结构的示意图，供电（插图是样品＃6的红色正方形部分的放大光电子谱图）。相比于具有几乎相同的费米面的同一类材料，局引进资FeSe/STO界面的超导Tc始终比同一体系的体材料的最高Tc高20-50％。

入无本文由材料人编辑部张金洋编译整理。线射相关成果以EvidenceofcooperativeeffectontheenhancedsuperconductingtransitiontemperatureattheFeSe/SrTiO3interface为题发表在NatureCommunications上。